20ETF12S

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK
20ETF12S P1
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20ETF12S P3
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ 20ETF12S

Artikelnummer
20ETF12S
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 20ETF12S
Teilstatus Obsolete
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.31V @ 20A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 400ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK
Betriebstemperatur - Kreuzung -40°C ~ 150°C

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