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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 1N4150W-E3-18 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 4ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-123 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-123 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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1N4150 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | 0 | Einzelheiten | |
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1N4150 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 20000 | Einzelheiten |
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1N4150-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 829 | Einzelheiten |
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1N4150TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N4150TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N4150TR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 10006 | Einzelheiten |
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1N4150UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA | - | 75 | Einzelheiten |
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1N4150UR-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | - | 32 | Einzelheiten |
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1N4150W-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 25073 | Einzelheiten |
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1N4150W-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 20000 | Einzelheiten |
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1N4150W-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N4150W-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 0 | Einzelheiten |