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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPW1R005PL,L1Q |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 45V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 22.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-DSOP Advance |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TPW1R005PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 0 | Einzelheiten |
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TPW1R306PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 5000 | Einzelheiten |