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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPH7R006PL,L1Q |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1875pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 81W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPH7R006PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 5000 | Einzelheiten |
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TPH7R204PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 3000 | Einzelheiten |
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TPH7R506NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV | - | 5000 | Einzelheiten |