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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPCF8101(TE85L,F,M |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VS-8 (2.9x1.5) |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPCF8101(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 | 0 | Einzelheiten | |
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TPCF8102(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A | 0 | Einzelheiten | |
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TPCF8104(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 | 0 | Einzelheiten | |
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TPCF8107,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 | - | 435 | Einzelheiten |