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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPCC8103(TE12L,QM) |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 9A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPCC8103(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON | - | 2490 | Einzelheiten |