TPCC8002-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
TPCC8002-H(TE12LQM P1
TPCC8002-H(TE12LQM P2
TPCC8002-H(TE12LQM P3
TPCC8002-H(TE12LQM P1
TPCC8002-H(TE12LQM P2
TPCC8002-H(TE12LQM P3
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPCC8002-H(TE12LQM

Artikelnummer
TPCC8002-H(TE12LQM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPCC8002-H(TE12LQM.pdf TPCC8002-H(TE12LQM PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer TPCC8002-H(TE12LQM
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 22A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8.3 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSON
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad

Verwandte Produkte

Alle Produkte