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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPC8022-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPC8021-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | Einzelheiten | |
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TPC8022-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B | 0 | Einzelheiten | |
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TPC8026(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten |