TK6A60W,S4VX

MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
TK6A60W,S4VX P1
TK6A60W,S4VX P2
TK6A60W,S4VX P1
TK6A60W,S4VX P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK6A60W,S4VX

Artikelnummer
TK6A60W,S4VX
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TK6A60W,S4VX
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 310µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 3.1A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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