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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TK40P04M1(T6RSS-Q) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 47W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DP |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TK40P03M1(T6RDS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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TK40P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A | - | 0 | Einzelheiten |
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TK40P04M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A | - | 0 | Einzelheiten |