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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TK31J60W5,S1VQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 230W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P(N) |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TK31J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) | - | 47 | Einzelheiten |
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TK31J60W5,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) | - | 0 | Einzelheiten |