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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TK25E60X5,S1X |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 180W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TK25E06K3,S1X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
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TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB | - | 75 | Einzelheiten |
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TK25E60X5,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB | - | 95 | Einzelheiten |