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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TJ80S04M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7770pF @ 10V |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 40A, 10V |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK+ |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3 | 0 | Einzelheiten |