TC58BVG2S0HBAI4

IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
TC58BVG2S0HBAI4 P1
TC58BVG2S0HBAI4 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58BVG2S0HBAI4

Artikelnummer
TC58BVG2S0HBAI4
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer TC58BVG2S0HBAI4
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM - NAND
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket 63-TFBGA (9x11)

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