RN2422TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
RN2422TE85LF P1
RN2422TE85LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN2422TE85LF

Artikelnummer
RN2422TE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- RN2422TE85LF PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer RN2422TE85LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 2.2k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket S-Mini

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