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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 2SK3566(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 40W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.4 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220SIS |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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2SK3564(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS | 2667 | Einzelheiten | |
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2SK3565(Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS | 0 | Einzelheiten | |
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2SK3566(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS | 48 | Einzelheiten |