2SD2406-Y(F)

TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
2SD2406-Y(F) P1
2SD2406-Y(F) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SD2406-Y(F)

Artikelnummer
2SD2406-Y(F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2SD2406-Y(F).pdf 2SD2406-Y(F) PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2SD2406-Y(F)
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 30µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 5V
Leistung max 25W
Frequenz - Übergang 8MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Lieferantengerätepaket TO-220NIS

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