BQ4011YMA-200

IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
BQ4011YMA-200 P1
BQ4011YMA-200 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Texas Instruments ~ BQ4011YMA-200

Artikelnummer
BQ4011YMA-200
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer BQ4011YMA-200
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat NVSRAM
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße 256Kb (32K x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 200ns
Zugriffszeit 200ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Lieferantengerätepaket 28-DIP Module (18.42x37.72)

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