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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GA200-010WD |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Druckart | Differential |
| Betriebsdruck | 0.36 PSI (2.49 kPa) |
| Ausgabetyp | Analog Voltage |
| Ausgabe | 0.25 V ~ 4 V |
| Richtigkeit | ±0.5% |
| Spannungsversorgung | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Anschlussgröße | Male - 0.13" (3.23mm) Tube, Dual |
| Hafen Stil | Barbed |
| Eigenschaften | Amplified Output, Temperature Compensated |
| Terminierungsstil | PCB |
| Maximaler Druck | 10 PSI (68.95 kPa) |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 80°C |
| Paket / Fall | 3-SIP Module |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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GA200-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB | 0 | Einzelheiten | |
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GA200-005WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP | 0 | Einzelheiten | |
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GA200-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | Einzelheiten | |
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GA200-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | Einzelheiten | |
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GA200SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT STD 600V 100A SOT227 | 0 | Einzelheiten | |
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GA200SA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 | 0 | Einzelheiten | |
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GA201AE3 | Microsemi Corporation | SCR | - | 1337 | Einzelheiten |
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 20A | 0 | Einzelheiten | |
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A | 263 | Einzelheiten | |
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV | 90 | Einzelheiten |