STS19N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
STS19N3LLH6 P1
STS19N3LLH6 P1
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STMicroelectronics ~ STS19N3LLH6

Artikelnummer
STS19N3LLH6
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STS19N3LLH6.pdf STS19N3LLH6 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STS19N3LLH6
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.7W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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