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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | STQ2NK60ZR-AP |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 400mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 700mA, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |