STP4NK60Z

MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
STP4NK60Z P1
STP4NK60Z P2
STP4NK60Z P1
STP4NK60Z P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

STMicroelectronics ~ STP4NK60Z

Artikelnummer
STP4NK60Z
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STP4NK60Z
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 70W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3

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