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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | STP12NK80Z |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2620pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 190W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5.25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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STP100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 100V 80A TO-220 | - | 955 | Einzelheiten |
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