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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | STL19N65M5 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta), 12.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±25V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 90W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 7.5A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerFlat™ (8x8) HV |
Paket / Fall | 4-PowerFlat™ HV |