STFU6N65

N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
STFU6N65 P1
STFU6N65 P1
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STMicroelectronics ~ STFU6N65

Artikelnummer
STFU6N65
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STFU6N65
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 463pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 620mW (Ta), 77W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.7 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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