STD2NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
STD2NK100Z P1
STD2NK100Z P2
STD2NK100Z P1
STD2NK100Z P2
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STMicroelectronics ~ STD2NK100Z

Artikelnummer
STD2NK100Z
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STD2NK100Z
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.85A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 499pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 70W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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