STD2LN60K3

MOSFET N CH 600V 2A DPAK
STD2LN60K3 P1
STD2LN60K3 P1
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STMicroelectronics ~ STD2LN60K3

Artikelnummer
STD2LN60K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N CH 600V 2A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STD2LN60K3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 50V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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