STD12NF06L-1

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
STD12NF06L-1 P1
STD12NF06L-1 P2
STD12NF06L-1 P1
STD12NF06L-1 P2
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STMicroelectronics ~ STD12NF06L-1

Artikelnummer
STD12NF06L-1
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STD12NF06L-1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 42.8W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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