STB23N80K5

MOSFET N-CH 800V 16A
STB23N80K5 P1
STB23N80K5 P1
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STMicroelectronics ~ STB23N80K5

Artikelnummer
STB23N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 16A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STB23N80K5
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 190W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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