STB150N3LH6

MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
STB150N3LH6 P1
STB150N3LH6 P1
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STMicroelectronics ~ STB150N3LH6

Artikelnummer
STB150N3LH6
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STB150N3LH6.pdf STB150N3LH6 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STB150N3LH6
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 110W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 40A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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