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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | STB130N6F7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 160W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 40A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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STB10100TR | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK | - | 1600 | Einzelheiten |
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STB10150TR | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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STB1060TR | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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STB10LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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