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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SCTH90N65G2V-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 330W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | H2PAK-7 |
| Paket / Fall | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 | - | 1397 | Einzelheiten |