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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BYV52-200 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 20A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 50ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 200V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-218-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-93 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | - | 5000 | Einzelheiten |
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BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/ | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV12-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV12-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV13-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV13-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV14-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV14-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV15-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV15-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |