US6M2TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
US6M2TR P1
US6M2TR P2
US6M2TR P1
US6M2TR P2
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Rohm Semiconductor ~ US6M2TR

Artikelnummer
US6M2TR
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer US6M2TR
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V, 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.5A, 1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
Leistung max 1W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket TUMT6

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