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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RSE002N06TL |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | EMT3 |
| Paket / Fall | SC-75, SOT-416 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RSE002N06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3 | - | 9000 | Einzelheiten |
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RSE002P03TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 | - | 3000 | Einzelheiten |