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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | RQ3E150GNTB |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2W (Ta), 17.2W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 15A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-HSMT (3.2x3) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |