RJK005N03FRAT146

2.5V DRIVE NCH MOSFET AEC-Q101
RJK005N03FRAT146 P1
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Rohm Semiconductor ~ RJK005N03FRAT146

Artikelnummer
RJK005N03FRAT146
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
2.5V DRIVE NCH MOSFET AEC-Q101
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer RJK005N03FRAT146
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 580 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SMT3
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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