RGT30NS65DGTL

IGBT 650V 30A 133W TO-263S
RGT30NS65DGTL P1
RGT30NS65DGTL P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Rohm Semiconductor ~ RGT30NS65DGTL

Artikelnummer
RGT30NS65DGTL
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer RGT30NS65DGTL
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 45A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Leistung max 133W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 18ns/64ns
Testbedingung 400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 55ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket LPDS (TO-263S)

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