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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | RD3P050SNTL1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 15W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |