QS8J11TCR

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
QS8J11TCR P1
QS8J11TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QS8J11TCR

Artikelnummer
QS8J11TCR
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer QS8J11TCR
Teilstatus Active
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 6V
Leistung max 550mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8

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