DTD114ESTP

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
DTD114ESTP P1
DTD114ESTP P1
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Rohm Semiconductor ~ DTD114ESTP

Artikelnummer
DTD114ESTP
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DTD114ESTP.pdf DTD114ESTP PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer DTD114ESTP
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall SC-72 Formed Leads
Lieferantengerätepaket SPT

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