DTC643TUT106

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DTC643TUT106 P1
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Rohm Semiconductor ~ DTC643TUT106

Artikelnummer
DTC643TUT106
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer DTC643TUT106
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 20V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 150MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket UMT3

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