DTC114ECAT116

TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
DTC114ECAT116 P1
DTC114ECAT116 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Rohm Semiconductor ~ DTC114ECAT116

Artikelnummer
DTC114ECAT116
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DTC114ECAT116.pdf DTC114ECAT116 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer DTC114ECAT116
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SST3

Verwandte Produkte

Alle Produkte