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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | QJD1210010 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Leistung max | 1080W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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QJD1210010 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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QJD1210011 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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QJD1210SA1 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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QJD1210SA2 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | - | 0 | Einzelheiten |