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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FJ4B01110L1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 153 mOhm @ 700mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 598µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 226pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 340mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ALGA004-W-0606-RA01 |
| Paket / Fall | 4-XFLGA, CSP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FJ4B01100L1 | Panasonic Electronic Components | CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET | - | 322843 | Einzelheiten |
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FJ4B01110L1 | Panasonic Electronic Components | CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET | - | 355424 | Einzelheiten |
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FJ4B01120L1 | Panasonic Electronic Components | CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET | - | 220120 | Einzelheiten |