TIP112G

TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB
TIP112G P1
TIP112G P1
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ON Semiconductor ~ TIP112G

Artikelnummer
TIP112G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer TIP112G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB

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