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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSU1N60BTU-WS |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 900mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 450mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SSU1N50BTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK | - | 50400 | Einzelheiten |
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SSU1N60BTU-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK | - | 282661 | Einzelheiten |
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SSU1N60BTU_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK | 5040 | Einzelheiten |