RD0106T-H

DIODE GEN PURP 600V 1A TP
RD0106T-H P1
RD0106T-H P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ RD0106T-H

Artikelnummer
RD0106T-H
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A TP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer RD0106T-H
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Lieferantengerätepaket TP
Betriebstemperatur - Kreuzung 150°C (Max)

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