NVMFD5873NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
NVMFD5873NLWFT1G P1
NVMFD5873NLWFT1G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NVMFD5873NLWFT1G

Artikelnummer
NVMFD5873NLWFT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NVMFD5873NLWFT1G PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer NVMFD5873NLWFT1G
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V
Leistung max 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

Verwandte Produkte

Alle Produkte