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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NVF6P02T3G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 16V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 8.3W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 (TO-261) |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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NVF6P02T3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 | - | 0 | Einzelheiten |